
SK하이닉스가 오는 12일까지 일본 교토에서 진행되는 ‘IEEE VLSI 심포지엄 2025’에서 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다. IEEE VLSI는 전기전자공학자협회(IEEE)가 주관하는 반도체 회로 및 공정 기술 분야 세계 최고 권위 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최된다.SK하이닉스는 3일차 기조연설에서 ‘지속가능한 미래를 위한 D램 기술 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology : Towards a Sustainable Future)’를 주제로 발표를 진행했다고 10일 밝혔다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO, 최고기술책임자)이 발표자로 나섰다.차선용 CTO는 “현재의 ‘테크 플랫폼(다양한 세대를 아우르는 기술적인 틀)’을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다”며 “이를 극복하기 위해 10나노 이하 구조와 소재, 구성 요소 혁신을 바탕으로 4F² VG