“HBM 다음은 HBF 메모리”… 낸드 플래시도 ‘수직 쌓기’ 경쟁

인공지능(AI)이 다루는 데이터와 AI 추론 모델 등의 규모가 점점 커지면서 이를 뒷받침할 하드웨어 발전 필요성도 높아지고 있다. AI 기술 구현에 적합한 장치인 그래픽처리장치(GPU)의 성능을 끌어올리기 위해 정보 전달을 돕는 ‘고대역폭메모리(HBM)’의 등장은 국내 반도체 기업 SK하이닉스에 메모리반도체 시장 주도권을 안겨주기도 했다. HBM은 속도가 빠른 메모리반도체인 D램을 3차원으로 쌓아 만든 소자다. HBM만으로는 GPU의 연산 속도를 따라가지 못한다는 평가가 나오면서 올해 여름을 기점으로 새로운 메모리반도체인 ‘고대역폭플래시(HBF)’가 차세대 목표로 제시됐다. HBF는 D램보다 속도는 느리지만 용량이 큰 낸드 플래시(NAND Flash) 메모리를 HBM처럼 3차원으로 쌓아 구멍을 뚫고 엘리베이터 같은 연결 통로를 설치해 통합하는 개념이다. 올 8월 SK하이닉스와 샌디스크는 삼성전자 등 경쟁사보다 HBF 표준을 선점하기 위해 손을 잡았다. 4일 대전 KAIST에서